日前,英飛凌宣布與中國的新能源汽車充電市場企業(yè)英飛源達成合作。英飛凌將為英飛源提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V CoolSiC? MOSFET功率半導(dǎo)體器件,用于提升電動汽車充電站的效率。
SiC技術(shù)相比傳統(tǒng)的硅技術(shù)可將電動汽車充電站的效率提高1%,從而降低了能耗和運營成本。以一座100 kW的充電站為例,這意味著節(jié)省1 kWh電能,每年節(jié)省270歐元成本,以及減少3.5噸碳排放。這將大幅推動SiC功率器件在電動汽車充電模塊中的應(yīng)用。
作為最早將溝槽柵技術(shù)用于晶體管的SiC功率半導(dǎo)體制造商之一,英飛凌推出了幫助提高充電解決方案可靠性的先進設(shè)計。這些器件具有高閾值電壓,并簡化了柵極驅(qū)動。CoolSiC MOSFET技術(shù)在上市前已通過馬拉松應(yīng)力試驗及柵極電壓跳變應(yīng)力試驗,并在上市后定期進行監(jiān)控,以確保擁有最高柵極可靠性。
通過采用英飛凌1200 V CoolSiC MOSFET,使得英飛源的30 kW直流充電模塊能夠?qū)崿F(xiàn)寬恒功率范圍、高功率密度、最小電磁輻射和干擾、高保護性能以及高可靠性。這使其不僅能夠滿足大多數(shù)電動汽車的快速充電需求,還能實現(xiàn)比市場上的其他解決方案高出1%的效率。這有助于大幅降低能耗和碳排放,達到全球領(lǐng)先水平。
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